ไฮไลท์จากอุตสาหกรรมเทคโนโลยี Kinghelm (19 ตุลาคม 2026 - 25 ตุลาคม 2026)

1. มีรายงานว่า NVIDIA ได้กำหนดมาตรฐานชิป NVHBM Base Dies บนแพลตฟอร์ม TSMC 3nm แล้ว

วันที่: ตุลาคม 19, 2026
สรุป:
มีรายงานว่า NVIDIA ได้ขอให้ Samsung, SK hynix และ Micron ใช้กระบวนการผลิต 3 นาโนเมตรของ TSMC สำหรับชิ้นส่วนพื้นฐานของหน่วยความจำ NVHBM รุ่นต่อไป การเคลื่อนไหวนี้จะทำให้การผลิตชิ้นส่วนพื้นฐานของ HBM ที่ TSMC เป็นมาตรฐานเดียวกัน และทำให้ซัพพลายเออร์หน่วยความจำทั้งสามรายอยู่บนแพลตฟอร์มการผลิตเดียวกัน ตามรายงานของ TrendForce และสื่อเกาหลี ชิ้นส่วนพื้นฐานทำหน้าที่ควบคุมหน่วยความจำและฟังก์ชันการเชื่อมต่อ ดังนั้นการเลือกกระบวนการผลิตและบรรจุภัณฑ์จึงส่งผลโดยตรงต่อแบนด์วิดท์ พลังงาน และผลผลิต
ความสำคัญ:
เป็นการกระชับความเชื่อมโยงระหว่าง HBM และกำลังการผลิตของโรงหล่อชั้นนำ ทำให้ TSMC มีบทบาทมากขึ้นในการจัดหาหน่วยความจำ AI และทำให้การจัดสรร 3nm, บรรจุภัณฑ์ CoWoS และการตรวจสอบคุณสมบัติของชิปพื้นฐานเป็นตัวแปรสำคัญสำหรับ HBM4 และรุ่นต่อๆ ไป
ที่มา: เทรนด์ฟอร์ซ; รอยเตอร์ส; เดอะเน็กซ์เว็บ

2. CXMT คาดการณ์รายได้เพิ่มขึ้นกว่าแปดเท่าตัว เนื่องจากปัญหาการขาดแคลนหน่วยความจำยังคงดำเนินต่อไป

วันที่: ตุลาคม 19, 2026
สรุป:
ตามรายงานของ The Wall Street Journal บริษัท CXMT คาดการณ์ว่ารายได้จะเพิ่มขึ้นมากกว่าแปดเท่าในปีนี้ ท่ามกลางภาวะขาดแคลนหน่วยความจำทั่วโลก หลังจากที่ผู้ผลิต DRAM สัญชาติจีนรายนี้รายงานผลกำไรสูงสุดเป็นประวัติการณ์ในรอบเก้าเดือน อย่างไรก็ตาม ราคาหุ้นของบริษัทลดลงเกือบ 8% เนื่องจากนักลงทุนมองข้ามการพลิกฟื้นผลประกอบการและมุ่งเน้นไปที่การประเมินมูลค่า การดำเนินงาน และความยั่งยืนของราคาหน่วยความจำ นอกจากนี้ยังมีรายงานว่า CXMT กำลังเตรียมผลักดัน NAND ในขณะที่คู่แข่งอย่าง YMTC กำลังพัฒนา DRAM ซึ่งเป็นการเพิ่มการแข่งขันระหว่างสองบริษัทผู้ผลิตหน่วยความจำรายใหญ่ที่สุดของจีน
ความสำคัญ:
แสดงให้เห็นถึงความรวดเร็วในการขยายตัวของซัพพลายเออร์หน่วยความจำของจีนในช่วงที่เกิดภาวะขาดแคลนเนื่องจากปัญญาประดิษฐ์ (AI) ขณะที่การเข้าสู่ตลาด NAND และ DRAM อาจเปลี่ยนแปลงความสัมพันธ์ด้านอุปทาน ราคา และการแข่งขันทางเทคโนโลยีในอีกหลายปีข้างหน้า
ที่มา: CXMT; เดอะวอลล์สตรีทเจอร์นัล; ซีเอ็นบีซี

3. YMTC จะผลิต LPDDR5X จำนวนมากถึง 9,600 ตันต่อวินาที และขยายไปสู่ ​​DRAM

วันที่: ตุลาคม 23, 2026
สรุป:
YMTC วางแผนที่จะเริ่มการผลิตหน่วยความจำ LPDDR5X จำนวนมากที่ความเร็ว 9,600 MT/s โดยมีรายงานว่าอุปกรณ์ดังกล่าวใช้เซลล์หน่วยความจำ 4F2 และถือเป็นการก้าวเข้าสู่ตลาด DRAM ของผู้ผลิต NAND สัญชาติจีนรายนี้ นอกจากนี้ KED Global ยังระบุว่า YMTC ได้แซงหน้า Samsung ในตลาด NAND flash ของจีนแล้ว ซึ่งเป็นการเสริมความแข็งแกร่งให้กับตำแหน่งของบริษัทในขณะที่กำลังเตรียมตัวสำหรับการเสนอขายหุ้น IPO บริษัทกำลังเดิมพันกับผลิตภัณฑ์ eSSD ระดับพรีเมียมและหน่วยความจำมือถือความเร็วสูงเพื่อแข่งขันกับ Samsung, SK hynix และ Micron
ความสำคัญ:
การเข้ามาของผู้ผลิต DRAM รายใหม่จากจีน และคู่แข่ง NAND ที่แข็งแกร่งขึ้น เพิ่มโอกาสที่จะเกิดการเปลี่ยนแปลงราคาและส่วนแบ่งการตลาดในตลาดหน่วยความจำสำหรับอุปกรณ์พกพาและอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลสำหรับองค์กร ขณะเดียวกันก็เปิดโอกาสให้ผู้ซื้อมีตัวเลือกด้านการจัดหามากขึ้นนอกเหนือจากเกาหลีและสหรัฐอเมริกา
ที่มา: YMTC; TechPowerUp; KED Global

4. ระยะเวลานำส่ง MLCC ของ Samsung Electro-Mechanics พุ่งสูงถึง 52 สัปดาห์ เนื่องจากความต้องการ AI เพิ่มสูงขึ้น

วันที่: ตุลาคม 21, 2026
สรุป:
รายงานจากอุตสาหกรรมระบุว่า ระยะเวลารอคอยสินค้า MLCC ของ Samsung Electro-Mechanics ยืดเยื้อออกไปถึงประมาณ 52 สัปดาห์ โดยคำสั่งซื้อใหม่ใช้เวลาประมาณหนึ่งปีในการส่งมอบ เนื่องจากความต้องการเซิร์ฟเวอร์ AI มีมากกว่ากำลังการผลิตที่มีอยู่ นอกจากนี้ บริษัทยังขยายการผลิตแผ่นรองพื้น FC-BGA และ ABF ผ่านความร่วมมือเชิงกลยุทธ์กับ NVIDIA และมีรายงานว่าบริษัทจะสร้างกำลังการผลิตเฉพาะสำหรับห่วงโซ่อุปทานตัวเร่งความเร็ว AI ความตึงตัวนี้ไม่ได้จำกัดอยู่แค่หน่วยความจำ แต่ยังรวมถึงส่วนประกอบแบบพาสซีฟและแผ่นรองพื้น ซึ่งเป็นสองด้านที่การเพิ่มกำลังการผลิตเป็นไปอย่างช้าๆ และวงจรการตรวจสอบคุณภาพใช้เวลานาน
ความสำคัญ:
ยืนยันว่าความต้องการโครงสร้างพื้นฐาน AI กำลังสร้างความขาดแคลนใน MLCC และแผ่นวงจรพิมพ์ (IC substrates) ไม่ใช่แค่เฉพาะวงจรตรรกะและหน่วยความจำเท่านั้น ระยะเวลานำส่งที่ยาวนานขึ้นเพิ่มความเสี่ยงในการจัดซื้อจัดจ้างสำหรับเซิร์ฟเวอร์ อุปกรณ์เครือข่าย และแหล่งจ่ายไฟ และตอกย้ำความจำเป็นในการจัดสรรล่วงหน้าและการวางแผนจากหลายแหล่งจัดหา
ที่มา: ซัมซุง อิเล็กโทรเมคานิกส์; เดอะ อิเล็ก; โชซุนบิซ

5. คาดการณ์ว่าราคา DRAM Contract จะปรับตัวสูงขึ้น 20% เมื่อเทียบกับไตรมาสก่อนหน้าในไตรมาสที่ 4 ปี 2026

วันที่: ตุลาคม 20, 2026
สรุป:
TrendForce คาดการณ์ว่าราคา DRAM ตามสัญญาจะเพิ่มขึ้นประมาณ 20% เมื่อเทียบกับไตรมาสก่อนหน้าในไตรมาสที่สี่ของปี 2026 ซึ่งช้ากว่าการเพิ่มขึ้นในไตรมาสก่อนหน้า แต่ยังคงได้รับการสนับสนุนจากความต้องการ AI และอุปทานที่ตึงตัว การคาดการณ์นี้ครอบคลุมทั้ง DRAM แบบดั้งเดิม รวมถึงส่วนของเซิร์ฟเวอร์และอุปกรณ์พกพา ซึ่งซัพพลายเออร์ให้ความสำคัญกับการจัดสรร AI และศูนย์ข้อมูลที่มีมูลค่าสูง ผู้ผลิตหน่วยความจำยังคงเปลี่ยนกำลังการผลิตเวเฟอร์ไปสู่ ​​HBM และผลิตภัณฑ์ขั้นสูง ทำให้ DRAM ทั่วไปมีปริมาณจำกัด
ความสำคัญ:
ส่งผลให้ต้นทุนเพิ่มสูงขึ้นอย่างต่อเนื่องในกลุ่มผลิตภัณฑ์พีซี สมาร์ทโฟน อุปกรณ์เครือข่าย และระบบอุตสาหกรรมที่ใช้ DRAM มาตรฐาน และตอกย้ำความจำเป็นในการทำข้อตกลงจัดหาในระยะยาว ความยืดหยุ่นในการออกแบบ และการจัดซื้อจัดหาตั้งแต่เนิ่นๆ
ที่มา: TrendForce

6. สหรัฐฯ มอบเงิน 389 ล้านดอลลาร์สหรัฐฯ สำหรับการวิจัยและพัฒนาเซมิคอนดักเตอร์กำลังไฟฟ้าและวัสดุ

วันที่: ตุลาคม 22, 2026
สรุป:
กระทรวงพาณิชย์สหรัฐฯ ได้ลงนามในหนังสือแสดงเจตจำนงในการให้เงินสนับสนุนด้านการวิจัยและพัฒนาภายใต้กฎหมาย CHIPS Act สูงถึง 389 ล้านดอลลาร์สหรัฐ แก่บริษัท 4 แห่งที่พัฒนาเซมิคอนดักเตอร์กำลังไฟฟ้า โมดูลกำลังไฟฟ้า และวัสดุสำคัญ บริษัท Helion จะได้รับเงินสนับสนุนสูงสุด 175 ล้านดอลลาร์สหรัฐ สำหรับเซมิคอนดักเตอร์กำลังไฟฟ้าแรงสูงและโมดูลกำลังไฟฟ้าแบบพัลส์ บริษัท Commonwealth Fusion Systems จะได้รับเงินสนับสนุนสูงสุด 85 ล้านดอลลาร์สหรัฐ สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ที่ทนต่อคลื่นวิทยุและรังสี บริษัท Vertical Semiconductor จะได้รับเงินสนับสนุนสูงสุด 73 ล้านดอลลาร์สหรัฐ สำหรับอุปกรณ์กำลังไฟฟ้า GaN แนวตั้งที่มุ่งเป้าไปที่แร็คศูนย์ข้อมูล AI ขนาด 2.5 เมกะวัตต์ และบริษัท Sibelco จะได้รับเงินสนับสนุนสูงสุด 56 ล้านดอลลาร์สหรัฐ สำหรับควอตซ์ที่มีความบริสุทธิ์สูงเป็นพิเศษ รัฐบาลจะได้รับหุ้นส่วนน้อยที่ไม่มีสิทธิ์ออกเสียงในบริษัทเหล่านี้
ความสำคัญ:
จัดสรรงบประมาณภาครัฐเพื่อพัฒนาอุปกรณ์และวัสดุไฟฟ้าแรงสูงและประสิทธิภาพสูง ซึ่งมีความสำคัญมากขึ้นเรื่อยๆ สำหรับศูนย์ข้อมูล AI โครงสร้างพื้นฐานด้านโครงข่ายไฟฟ้า และการผลิตขั้นสูง ลดการพึ่งพาซัพพลายเออร์ต่างประเทศสำหรับชิ้นส่วนไฟฟ้าที่สำคัญ
ที่มา: NIST; กระทรวงพาณิชย์สหรัฐฯ; รอยเตอร์ส

At Kinghelm

At Kinghelmเราติดตามราคาหน่วยความจำ ระยะเวลารอคอยของชิ้นส่วนพาสซีฟ และกำลังการผลิตของอุปกรณ์จ่ายไฟ เนื่องจากปัจจัยเหล่านี้ส่งผลโดยตรงต่อความพร้อมใช้งานของชิ้นส่วนและวงจรการออกแบบ สัญญาณเหล่านี้เป็นแนวทางในการทำงานของเราในด้านเสาอากาศ RF ตัวเชื่อมต่อ ชุดสายไฟ สายเคเบิลที่มีความแม่นยำสูง และโซลูชันการเชื่อมต่อสำหรับโครงสร้างพื้นฐาน AI ยานยนต์ และอิเล็กทรอนิกส์อุตสาหกรรม